အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကို ဘရက်ရှ်လုပ်ခြင်း

၁။ ပွတ်တိုက်နိုင်စွမ်းအား

အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များ၏ ಲೇಪನ್ಯಾನိုဓာတ်သည် မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ဖယ်ရှားရန်ခက်ခဲသောကြောင့် ညံ့ဖျင်းသည်။ အလူမီနီယမ်သည် အောက်ဆီဂျင်နှင့် အလွန်နီးစပ်သည်။ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် သိပ်သည်းပြီး တည်ငြိမ်ကာ အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားသော အောက်ဆိုဒ်အလွှာ Al2O3 ကို ဖွဲ့စည်းရန် လွယ်ကူသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင် မဂ္ဂနီဆီယမ်ပါဝင်သော အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များသည် အလွန်တည်ငြိမ်သော အောက်ဆိုဒ်အလွှာ MgO ကို ဖွဲ့စည်းပေးလိမ့်မည်။ ၎င်းတို့သည် ဂဟေဆက်ခြင်း၏ စိုစွတ်မှုနှင့် ပျံ့နှံ့မှုကို ပြင်းထန်စွာ အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေသည်။ ဖယ်ရှားရန်လည်း ခက်ခဲသည်။ ಲೇಪನိုဓာတ်ပြုစဉ်တွင် ಲೇಪನိုဓာတ်ပြုမှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို သင့်လျော်သော flux ဖြင့်သာ ဆောင်ရွက်နိုင်သည်။

ဒုတိယအချက်အနေနဲ့ အလူမီနီယမ်နဲ့ အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်တွေကို ပွတ်တိုက်တဲ့လုပ်ဆောင်ချက်က ခက်ခဲပါတယ်။ အလူမီနီယမ်နဲ့ အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်တွေရဲ့ အရည်ပျော်မှတ်ဟာ အသုံးပြုတဲ့ ပွတ်တိုက်သတ္တုစပ်နဲ့ သိပ်မကွာခြားပါဘူး။ ပွတ်တိုက်ဖို့အတွက် ရွေးချယ်နိုင်တဲ့ အပူချိန်အပိုင်းအခြားက အလွန်ကျဉ်းမြောင်းပါတယ်။ အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှု အနည်းငယ်မှားယွင်းရင် အခြေခံသတ္တု အပူလွန်ကဲခြင်း ဒါမှမဟုတ် အရည်ပျော်ခြင်းတွေ ဖြစ်စေနိုင်ပြီး ပွတ်တိုက်တဲ့လုပ်ငန်းစဉ်ကို ခက်ခဲစေပါတယ်။ အပူပေးနည်းနဲ့ ခိုင်ခံ့အောင်လုပ်ထားတဲ့ အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်တချို့ဟာ ပွတ်တိုက်အပူပေးမှုကြောင့် ဟောင်းနွမ်းခြင်း ဒါမှမဟုတ် အပူပေးခြင်းကြောင့် ပျော့ပျောင်းလာခြင်းလိုမျိုး ဖြစ်စဉ်တွေကို ဖြစ်စေပြီး ပွတ်တိုက်အဆစ်တွေရဲ့ ဂုဏ်သတ္တိတွေကို လျော့ကျစေပါတယ်။ မီးလျှံပွတ်တိုက်နေစဉ်မှာ အပူပေးနေစဉ်မှာ အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်ရဲ့ အရောင်မပြောင်းလဲတာကြောင့် အပူချိန်ကို ဆုံးဖြတ်ဖို့ ခက်ခဲပြီး အော်ပရေတာရဲ့ လည်ပတ်မှုအဆင့်အတွက်လည်း လိုအပ်ချက်တွေ မြင့်တက်စေပါတယ်။

ထို့အပြင်၊ အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်အလွိုင်းဖြင့် ಲೇಪထားသော အဆစ်များ၏ ချေးခံနိုင်ရည်ကို ဖြည့်စွက်သတ္တုများနှင့် ဖလက်ဇ်များက အလွယ်တကူ ထိခိုက်စေသည်။ အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်အလွိုင်း၏ လျှပ်ကူးပစ္စည်းအလားအလာသည် ဂဟေဆက်ခြင်းနှင့် အတော်လေးကွာခြားပြီး အထူးသဖြင့် ပျော့ပျောင်းသော ဂဟေဆက်ခြင်းအတွက် အဆစ်၏ ချေးခံနိုင်ရည်ကို လျော့ကျစေသည်။ ထို့အပြင်၊ အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်အလွိုင်းများကို ဘရက်ဇ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသော ဖလက်ဇ်အများစုသည် ချေးခံနိုင်ရည်အားကောင်းသည်။ ဘရက်ဇ်လုပ်ပြီးနောက် သန့်ရှင်းရေးလုပ်သော်လည်း အဆစ်များ၏ ချေးခံနိုင်ရည်အပေါ် ဖလက်ဇ်များ၏ လွှမ်းမိုးမှုကို လုံးဝဖယ်ရှားပစ်မည်မဟုတ်ပါ။

၂။ ဘရက်ဇယ်ပစ္စည်း

(၁) အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကို ဘရက်ရှ်လုပ်ခြင်းသည် ရှားရှားပါးပါးသာ အသုံးပြုသောနည်းလမ်းဖြစ်ပြီး၊ ဖြည့်စွက်သတ္တုနှင့် အခြေခံသတ္တုတို့၏ ပါဝင်မှုနှင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်းအလားအလာသည် အလွန်ကွာခြားသောကြောင့် အဆစ်၏ လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ချေးခြင်းဖြစ်စေရန် လွယ်ကူသည်။ ပျော့ပျောင်းသော ဂဟေဆက်ခြင်းသည် အဓိကအားဖြင့် သွပ်အခြေခံဂဟေဆက်ခြင်းနှင့် သံဖြူခဲဂဟေဆက်ခြင်းကို အသုံးပြုပြီး အပူချိန်နိမ့်ဂဟေဆက်ခြင်း (၁၅၀ ~ ၂၆၀ ℃)၊ အပူချိန်အလယ်အလတ်ဂဟေဆက်ခြင်း (၂၆၀ ~ ၃၇၀ ℃) နှင့် အပူချိန်မြင့်ဂဟေဆက်ခြင်း (၃၇၀ ~ ၄၃၀ ℃) အဖြစ် အပူချိန်အပိုင်းအခြားအလိုက် ခွဲခြားနိုင်သည်။ သံဖြူခဲဂဟေဆက်ခြင်းကို အသုံးပြုပြီး ကြေးနီ သို့မဟုတ် နီကယ်ကို အလူမီနီယမ်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဘရက်ရှ်လုပ်ရန်အတွက် ကြိုတင်ချထားသောအခါ၊ အဆစ်မျက်နှာပြင်တွင် ချေးခြင်းကို ကာကွယ်နိုင်ပြီး အဆစ်၏ ချေးခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေသည်။

အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကို ဘရက်ရှ်လုပ်ခြင်းကို filter guide၊ evaporator၊ radiator နှင့် အခြားအစိတ်အပိုင်းများကဲ့သို့ တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။ အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကို ဘရက်ရှ်လုပ်ရန်အတွက် အလူမီနီယမ်အခြေခံ ဖြည့်စွက်သတ္တုများကိုသာ အသုံးပြုနိုင်ပြီး ၎င်းတို့အနက် အလူမီနီယမ်ဆီလီကွန်ဖြည့်စွက်သတ္တုများကို အသုံးအများဆုံးဖြစ်သည်။ ဘရက်ရှ်လုပ်ထားသော အဆစ်များ၏ အသုံးချမှုအတိုင်းအတာနှင့် ဖြတ်အားကို ဇယား ၈ နှင့် ဇယား ၉ တွင် အသီးသီးဖော်ပြထားသည်။ သို့သော် ဤဂဟေဆက်၏ အရည်ပျော်မှတ်သည် အခြေခံသတ္တု၏ အရည်ပျော်မှတ်နှင့် နီးစပ်သောကြောင့် အခြေခံသတ္တု အပူလွန်ကဲခြင်း သို့မဟုတ် အရည်ပျော်ခြင်းကို ရှောင်ရှားရန် ဘရက်ရှ်လုပ်နေစဉ် အပူပေးအပူချိန်ကို တင်းကြပ်စွာနှင့် တိကျစွာ ထိန်းချုပ်သင့်သည်။

ဇယား ၈ အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များအတွက် ဖြည့်စွက်သတ္တုများကို ဘရက်ရှ်ဖြင့် ရောစပ်ခြင်း၏ အသုံးချမှုအတိုင်းအတာ

ဇယား ၉ အလူမီနီယမ် ဆီလီကွန် ဖြည့်စွက်သတ္တုများဖြင့် သံချေးမတက်အောင် ပြုလုပ်ထားသော အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ် အလွိုင်း အဆစ်များ၏ ဖြတ်အားခံနိုင်ရည်

အလူမီနီယမ် ဆီလီကွန် ဂဟေဆက်ကို များသောအားဖြင့် အမှုန့်၊ ကော်၊ ဝါယာကြိုး သို့မဟုတ် ချပ်ပုံစံဖြင့် ထောက်ပံ့ပေးပါသည်။ အချို့ကိစ္စများတွင် အလူမီနီယမ်ကို အူတိုင်အဖြစ်နှင့် အလူမီနီယမ် ဆီလီကွန် ဂဟေဆက်ကို အကာအဖြစ် အသုံးပြုသည့် ဂဟေဆက်ပေါင်းစပ်ပြားများကို အသုံးပြုပါသည်။ ဤအမျိုးအစား ဂဟေဆက်ပေါင်းစပ်ပြားကို ဟိုက်ဒရောလစ်နည်းလမ်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး မကြာခဏ ဂဟေဆက်သည့် အစိတ်အပိုင်းများ၏ အစိတ်အပိုင်းအဖြစ် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ ဂဟေဆက်နေစဉ်အတွင်း၊ ပေါင်းစပ်ပြားပေါ်ရှိ ဂဟေဆက်ဖြည့်သတ္တုသည် အရည်ပျော်ပြီး ဆံချည်မျှင်သွေးကြောနှင့် ဆွဲငင်အား၏ လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင် အရည်ပျော်ပြီး စီးဆင်းကာ အဆစ်ကွာဟချက်ကို ဖြည့်ပါသည်။

(၂) အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်အလွိုင်း ಲೇಪನ್ಯಾನိုဂဟေဆက်ခြင်းအတွက် ဖလပ်စ်နှင့် ဒိုင်ကာဓာတ်ငွေ့၊ အထူးဖလပ်စ်ကို ဖလင်ကိုဖယ်ရှားရန် မကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ fs204 ကဲ့သို့သော triethanolamine ကိုအခြေခံသည့် အော်ဂဲနစ်ဖလပ်စ်ကို အပူချိန်နိမ့် soft solder ဖြင့်အသုံးပြုသည်။ ဤဖလပ်စ်၏အားသာချက်မှာ အခြေခံသတ္တုပေါ်တွင် ချေးခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုအနည်းငယ်သာရှိသော်လည်း ဓာတ်ငွေ့များစွာထုတ်လုပ်မည်ဖြစ်ပြီး ဂဟေဆက်ခြင်း၏စိုစွတ်မှုနှင့် ကော်ကိုထိခိုက်စေမည်ဖြစ်သည်။ fs203 နှင့် fs220a ကဲ့သို့သော ဇင့်ကလိုရိုက်ကိုအခြေခံသည့် reactive flux ကို အပူချိန်အလယ်အလတ်နှင့် အပူချိန်မြင့် soft solder ဖြင့်အသုံးပြုသည်။ reactive flux သည် အလွန်ချေးတတ်ပြီး ၎င်း၏အကြွင်းအကျန်များကို ಲೇಪನိုဂဟေဆက်ပြီးနောက် ဖယ်ရှားရမည်။

လက်ရှိတွင် အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကို ಲೇಪခြင်းတွင် ဖလပ်ဖလင်ဖယ်ရှားခြင်းသာ အဓိကထားဆဲဖြစ်သည်။ အသုံးပြုသော ಲೇಪခြင်းတွင် ကလိုရိုက်အခြေခံဖလပ်နှင့် ဖလိုရိုက်အခြေခံဖလပ်တို့ ပါဝင်သည်။ ကလိုရိုက်အခြေခံဖလပ်သည် အောက်ဆိုဒ်ဖလင်ကို ဖယ်ရှားနိုင်စွမ်းမြင့်မားပြီး စီးဆင်းမှုကောင်းမွန်သော်လည်း အခြေခံသတ္တုကို ချေးစားမှုပြင်းထန်စေသည်။ ၎င်း၏အကြွင်းအကျန်များကို ಲೇಪပြီးနောက် လုံးဝဖယ်ရှားရမည်။ ဖလပ်ဖလပ်သည် ဖလပ်ဖလင်ဖယ်ရှားခြင်းအာနိသင်ကောင်းမွန်ပြီး အခြေခံသတ္တုကို ချေးစားခြင်းမရှိသော ဖလပ်အမျိုးအစားအသစ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ သို့သော် ၎င်းတွင် အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားပြီး အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုညံ့ဖျင်းပြီး အလူမီနီယမ်ဆီလီကွန်ဂဟေဖြင့်သာ အသုံးပြုနိုင်သည်။

အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကို ಲೇಪသောအခါ၊ လေဟာနယ်၊ ကြားနေ သို့မဟုတ် အစွမ်းမဲ့လေထုကို မကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ လေဟာနယ်လေဟာနယ်ကို အသုံးပြုသောအခါ၊ လေဟာနယ်ဒီဂရီသည် ယေဘုယျအားဖြင့် 10-3pa အစီအစဥ်အတိုင်း ရောက်ရှိရမည်။ နိုက်ထရိုဂျင် သို့မဟုတ် အာဂွန်ဓာတ်ငွေ့ကို ကာကွယ်မှုအတွက် အသုံးပြုသောအခါ၊ ၎င်း၏သန့်စင်မှုသည် အလွန်မြင့်မားရမည်ဖြစ်ပြီး dew point သည် -40 ℃ ထက် နိမ့်ရမည်။

၃။ ဘရက်ရှ်နည်းပညာ

အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကို ပွတ်တိုက်ခြင်းသည် workpiece မျက်နှာပြင်ကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်ရန် လိုအပ်ချက်များပါသည်။ အရည်အသွေးကောင်းမွန်ရန်အတွက် မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ဆီအစွန်းအထင်းနှင့် အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ပွတ်တိုက်ခြင်းမပြုမီ ဖယ်ရှားရပါမည်။ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ဆီအစွန်းအထင်းကို Na2CO3 ရေပျော်ရည်ဖြင့် 60 မှ 70 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အပူချိန်တွင် 5 မိနစ်မှ 10 မိနစ်အထိ ဖယ်ရှားပြီးနောက် သန့်ရှင်းသောရေဖြင့် ဆေးကြောပါ။ မျက်နှာပြင်အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို NaOH ရေပျော်ရည်ဖြင့် 20 မှ 40 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အပူချိန်တွင် 2 မိနစ်မှ 4 မိနစ်အထိ ထွင်းထုခြင်းဖြင့် ဖယ်ရှားပြီးနောက် ရေနွေးဖြင့် ဆေးကြောနိုင်ပါသည်။ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ဆီအစွန်းအထင်းနှင့် အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ဖယ်ရှားပြီးနောက် workpiece ကို HNO3 ရေပျော်ရည်ဖြင့် 2 မိနစ်မှ 5 မိနစ်အထိ တောက်ပြောင်စေရန် ကုသပြီးနောက် ရေစီးကြောင်းဖြင့် သန့်စင်ပြီး နောက်ဆုံးတွင် အခြောက်ခံပါ။ ဤနည်းလမ်းများဖြင့် ကုသထားသော workpiece ကို မထိရ သို့မဟုတ် အခြားအညစ်အကြေးများဖြင့် မညစ်ညမ်းစေရဘဲ 6 နာရီမှ 8 နာရီအတွင်း ပွတ်တိုက်ရပါမည်။ ဖြစ်နိုင်ပါက ချက်ချင်းပွတ်တိုက်ခြင်းသည် ပိုကောင်းပါသည်။

အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များ၏ ဘရက်ရှ်လုပ်နည်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် မီးလျှံဘရက်ရှ်လုပ်ခြင်း၊ ဂဟေသံဘရက်ရှ်လုပ်ခြင်းနှင့် မီးဖိုဘရက်ရှ်လုပ်ခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။ ဤနည်းလမ်းများသည် ယေဘုယျအားဖြင့် ဘရက်ရှ်လုပ်ရာတွင် flux ကို အသုံးပြုပြီး အပူပေးအပူချိန်နှင့် ထိန်းထားချိန်အပေါ် တင်းကျပ်သော လိုအပ်ချက်များရှိသည်။ မီးလျှံဘရက်ရှ်လုပ်ခြင်းနှင့် ဂဟေသံဘရက်ရှ်လုပ်စဉ်အတွင်း flux အပူလွန်ကဲခြင်းနှင့် ပျက်စီးခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် အပူရင်းမြစ်မှ flux ကို တိုက်ရိုက်အပူပေးခြင်းကို ရှောင်ကြဉ်ပါ။ အလူမီနီယမ်ကို ဇင့်ပါဝင်မှု မြင့်မားသော ပျော့ပျောင်းသော ဂဟေတွင် ပျော်ဝင်နိုင်သောကြောင့် အခြေခံသတ္တုချေးခြင်းကို ရှောင်ရှားရန် အဆစ်ဖွဲ့စည်းပြီးသည်နှင့် အပူပေးခြင်းကို ရပ်တန့်သင့်သည်။ အချို့ကိစ္စများတွင် အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကို ဘရက်ရှ်လုပ်ခြင်းသည် flux ကို အသုံးမပြုဘဲ ဖလင်ကိုဖယ်ရှားရန် ultrasonic သို့မဟုတ် scraping နည်းလမ်းများကို အသုံးပြုသည်။ ဘရက်ရှ်လုပ်ရန်အတွက် ဖလင်ကိုဖယ်ရှားရန် scraping ကိုအသုံးပြုသောအခါ၊ ဦးစွာ workpiece ကို ဘရက်ရှ်အပူချိန်အထိ အပူပေးပြီး workpiece ၏ ဘရက်ရှ်အပိုင်းကို ဂဟေတံ (သို့မဟုတ် scraping tool) ၏အဆုံးဖြင့် ခြစ်ပါ။ မျက်နှာပြင်အောက်ဆိုဒ်ဖလင်ကို ချိုးနေစဉ် ဂဟေ၏အဆုံးသည် အခြေခံသတ္တုကို အရည်ပျော်ပြီး စိုစွတ်စေလိမ့်မည်။

အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များ၏ ဘရက်ရှ်နည်းလမ်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် မီးလျှံဘရက်ရှ်၊ မီးဖိုဘရက်ရှ်၊ နှစ်မြှုပ်ဘရက်ရှ်၊ လေဟာနယ်ဘရက်ရှ်နှင့် ဓာတ်ငွေ့ကာကွယ်ထားသော ဘရက်ရှ်တို့ ပါဝင်သည်။ မီးလျှံဘရက်ရှ်ကို အစိတ်အပိုင်းငယ်များနှင့် တစ်ပိုင်းတည်းထုတ်လုပ်မှုအတွက် အများဆုံးအသုံးပြုသည်။ အောက်ဆီအက်စီတလင်းမီးလျှံကိုအသုံးပြုသောအခါ အက်စီတလင်းရှိ မသန့်စင်မှုများနှင့် ဘရက်ရှ်အကြားထိတွေ့မှုကြောင့် ဖလက်ရှ်ပျက်စီးမှုကို ရှောင်ရှားရန်အတွက်၊ အခြေခံသတ္တု၏ အောက်ဆီဒေးရှင်းကို ကာကွယ်ရန် အနည်းငယ်လျှော့ချနိုင်သော ဓာတ်ဆီဖိသိပ်လေမီးလျှံကို အသုံးပြုရန် သင့်လျော်သည်။ သတ်မှတ်ထားသော ဘရက်ရှ်အတွင်း၊ ဘရက်ရှ်ဘရက်ရှ်ဖရက်ရှ်နှင့် ဖြည့်စွက်သတ္တုကို ဘရက်ရှ်ပြုလုပ်သည့်နေရာတွင် ကြိုတင်ထားနိုင်ပြီး တစ်ချိန်တည်းတွင် အစိတ်အပိုင်းနှင့် အပူပေးနိုင်သည်။ အစိတ်အပိုင်းကို ဘရက်ရှ်အပူချိန်အထိလည်း အပူပေးနိုင်ပြီး ထို့နောက် ဖရက်ရှ်ဖြင့်နှစ်ထားသော ဂဟေကို ဘရက်ရှ်အနေအထားသို့ ပေးပို့နိုင်သည်။ ဖရက်ရှ်နှင့် ဖြည့်စွက်သတ္တုကို အရည်ပျော်ပြီးနောက်၊ ဖြည့်စွက်သတ္တုကို ညီညာစွာဖြည့်ပြီးနောက် အပူပေးမီးလျှံကို ဖြည်းဖြည်းချင်းဖယ်ရှားရမည်။

လေမီးဖိုတွင် အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်ကို အပူပေးသည့်အခါ၊ အပူပေးသတ္တုကို ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားရမည်ဖြစ်ပြီး၊ အပူပေးအရည်ကို ပေါင်းခံရေတွင် အရည်ပျော်စေပြီး 50% မှ 75% ပါဝင်မှုရှိသော ထူထဲသောအရည်ကို ပြင်ဆင်ပြီးနောက်၊ အပူပေးမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဖုံးအုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် ဖြန်းခြင်းပြုလုပ်ရမည်။ အပူပေးသတ္တုနှင့် အပူပေးမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်လည်း သင့်လျော်သော အမှုန့်အပူပေးအရည်ကို ဖုံးအုပ်နိုင်ပြီး၊ တပ်ဆင်ထားသော ဂဟေဆက်ပစ္စည်းကို အပူပေးရန်အတွက် မီးဖိုတွင် ထားရမည်။ အခြေခံသတ္တု အပူလွန်ကဲခြင်း သို့မဟုတ် အရည်ပျော်ခြင်းပင် မဖြစ်အောင်၊ အပူပေးအပူချိန်ကို တင်းကြပ်စွာ ထိန်းချုပ်ရမည်။

အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကို နှစ်မြှုပ်ဘရက်လုပ်ရာတွင် ငါးပိ သို့မဟုတ် ဖော့ဂဟေကို ယေဘုယျအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။ တပ်ဆင်ထားသော workpiece ကို ဘရက်လုပ်ခြင်းမပြုမီ ၎င်း၏အပူချိန်ကို ဘရက်လုပ်ခြင်းအပူချိန်နှင့် နီးစပ်အောင် အပူပေးပြီးနောက် ဘရက်လုပ်ရန်အတွက် ဘရက်လုပ်ရည်တွင် နှစ်ထားရမည်။ ဘရက်လုပ်နေစဉ် ဘရက်လုပ်ခြင်းအပူချိန်နှင့် ဘရက်လုပ်ချိန်ကို တင်းကြပ်စွာထိန်းချုပ်ရမည်။ အပူချိန်များလွန်းပါက အခြေခံသတ္တုသည် ပျော်ဝင်လွယ်ပြီး ဂဟေပျောက်ဆုံးလွယ်သည်။ အပူချိန်နည်းလွန်းပါက ဂဟေသည် လုံလောက်စွာ အရည်ပျော်ခြင်းမရှိတော့ဘဲ ဘရက်လုပ်နှုန်း ကျဆင်းသွားသည်။ ဘရက်လုပ်ခြင်းအပူချိန်ကို အခြေခံသတ္တုအမျိုးအစားနှင့် အရွယ်အစား၊ ဖြည့်စွက်သတ္တု၏ ပါဝင်ပစ္စည်းနှင့် အရည်ပျော်မှတ်ပေါ် မူတည်၍ ဆုံးဖြတ်ရမည်ဖြစ်ပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် ဖြည့်စွက်သတ္တု၏ အရည်အပူချိန်နှင့် အခြေခံသတ္တု၏ ဆိုဒီယယ်အပူချိန်ကြားတွင် ရှိသည်။ ဖလပ်ရေချိုးကန်တွင် workpiece ကို နှစ်မြှုပ်ချိန်သည် ဂဟေသည် အပြည့်အဝ အရည်ပျော်ပြီး စီးဆင်းနိုင်ကြောင်း သေချာစေရမည်ဖြစ်ပြီး ထောက်ပံ့ချိန်သည် အချိန်အလွန်ကြာလွန်းခြင်းမရှိစေရပါ။ မဟုတ်ပါက ဂဟေရှိ ဆီလီကွန်ဒြပ်စင်သည် အခြေခံသတ္တုထဲသို့ ပျံ့နှံ့သွားနိုင်ပြီး ချုပ်ရိုးအနီးရှိ အခြေခံသတ္တုသည် ကြွပ်ဆတ်သွားနိုင်သည်။

အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကို လေဟာနယ်ဘရက်ရှ်လုပ်ရာတွင် သတ္တုလည်ပတ်မှု activator များကို အလူမီနီယမ်၏ မျက်နှာပြင်အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ပြုပြင်ရန်နှင့် ဂဟေဆက်ခြင်း၏ စိုစွတ်မှုနှင့် ပျံ့နှံ့မှုကို သေချာစေရန် မကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ မဂ္ဂနီဆီယမ်ကို အမှုန်ပုံစံဖြင့် workpiece ပေါ်တွင် တိုက်ရိုက်အသုံးပြုနိုင်သည်၊ သို့မဟုတ် ရေနွေးငွေ့ပုံစံဖြင့် ဘရက်ရှ်ဇုန်ထဲသို့ ထည့်သွင်းနိုင်သည်၊ သို့မဟုတ် မဂ္ဂနီဆီယမ်ကို အလူမီနီယမ်ဆီလီကွန်ဂဟေဆက်တွင် အလွိုင်းဒြပ်စင်အဖြစ် ထည့်သွင်းနိုင်သည်။ ရှုပ်ထွေးသောဖွဲ့စည်းပုံရှိသော workpiece အတွက်၊ အခြေခံသတ္တုပေါ်တွင် မဂ္ဂနီဆီယမ်အငွေ့၏ အပြည့်အဝအကျိုးသက်ရောက်မှုကို သေချာစေရန်နှင့် ဘရက်ရှ်အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရန်အတွက်၊ ဒေသတွင်းအကာအကွယ်လုပ်ငန်းစဉ်အစီအမံများကို မကြာခဏပြုလုပ်လေ့ရှိပြီး၊ ဆိုလိုသည်မှာ workpiece ကို သံမဏိသေတ္တာ (လုပ်ငန်းစဉ်သေတ္တာဟုလူသိများသည်) တွင် ဦးစွာထည့်ပြီးနောက် ဘရက်ရှ်ကိုအပူပေးရန် လေဟာနယ်မီးဖိုတွင် ထားရှိသည်။ လေဟာနယ်ဘရက်ရှ်လုပ်ထားသော အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်အလွိုင်းအဆစ်များတွင် ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်နှင့် သိပ်သည်းသော ဘရက်ရှ်လုပ်ထားသော အဆစ်များရှိပြီး ဘရက်ရှ်လုပ်ပြီးနောက် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ရန်မလိုအပ်ပါ။ သို့သော် လေဟာနယ်ဘရက်ရှ်ပစ္စည်းကိရိယာများသည် စျေးကြီးပြီး မဂ္ဂနီဆီယမ်အငွေ့သည် မီးဖိုကို ပြင်းထန်စွာညစ်ညမ်းစေသောကြောင့် မကြာခဏ သန့်ရှင်းရေးလုပ်ပြီး ထိန်းသိမ်းရန် လိုအပ်ပါသည်။

အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကို ကြားနေ သို့မဟုတ် အစွမ်းမဲ့လေထုတွင် အပူပေးသောအခါ၊ ဖလင်ကိုဖယ်ရှားရန် မဂ္ဂနီဆီယမ် activator သို့မဟုတ် flux ကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ ဖလင်ကိုဖယ်ရှားရန် မဂ္ဂနီဆီယမ် activator ကိုအသုံးပြုသောအခါ၊ လိုအပ်သော မဂ္ဂနီဆီယမ်ပမာဏသည် vacuum brazing ထက် များစွာနည်းသည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် w (mg) သည် 0.2% ~ 0.5% ခန့်ရှိသည်။ မဂ္ဂနီဆီယမ်ပါဝင်မှုမြင့်မားသောအခါ၊ အဆစ်၏အရည်အသွေး လျော့ကျသွားလိမ့်မည်။ ဖလိုရိုက် flux နှင့် နိုက်ထရိုဂျင်ကာကွယ်မှုကို အသုံးပြု၍ NOCOLOK brazing နည်းလမ်းသည် မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း အလျင်အမြန်တီထွင်ခဲ့သော နည်းလမ်းအသစ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဖလိုရိုက် flux အကြွင်းအကျန်သည် အစိုဓာတ်ကို မစုပ်ယူဘဲ အလူမီနီယမ်ကို ချေးခြင်းမရှိသောကြောင့်၊ brazing လုပ်ပြီးနောက် flux အကြွင်းအကျန်ကို ဖယ်ရှားခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို ချန်လှပ်ထားနိုင်သည်။ နိုက်ထရိုဂျင်၏ကာကွယ်မှုအောက်တွင်၊ ဖလိုရိုက် flux အနည်းငယ်ကိုသာ ဖုံးအုပ်ရန် လိုအပ်ပြီး filler သတ္တုသည် အခြေခံသတ္တုကို ကောင်းစွာစိုစွတ်စေနိုင်ပြီး အရည်အသွေးမြင့် brazed အဆစ်များကို ရရှိရန် လွယ်ကူသည်။ လက်ရှိတွင်၊ ဤ NOCOLOK brazing နည်းလမ်းကို အလူမီနီယမ် radiator နှင့် အခြားအစိတ်အပိုင်းများကို အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုတွင် အသုံးပြုခဲ့သည်။

ဖလိုရိုက်ဖလိုရိုက်မှလွဲ၍ အခြားဖလပ်ဖြင့် ဘရက်ရှ်လုပ်ထားသော အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များအတွက်၊ ဘရက်ရှ်အကြွင်းအကျန်များကို ဘရက်ရှ်လုပ်ပြီးနောက် လုံးဝဖယ်ရှားရပါမည်။ အလူမီနီယမ်အတွက် အော်ဂဲနစ်ဘရက်ရှ်ဖလပ်၏ အကြွင်းအကျန်ကို မီသနောနှင့် ထရိုင်ကလိုရိုအီသီလင်းကဲ့သို့သော အော်ဂဲနစ်ပျော်ရည်များဖြင့် ဆေးကြောနိုင်ပြီး ဆိုဒီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ်အရည်ဖြင့် ပျက်ပြယ်စေပြီး နောက်ဆုံးတွင် ရေနွေးနှင့်ရေအေးဖြင့် သန့်စင်နိုင်ပါသည်။ ကလိုရိုက်သည် အလူမီနီယမ်အတွက် ဘရက်ရှ်ဖလပ်၏ အကြွင်းအကျန်ဖြစ်ပြီး အောက်ပါနည်းလမ်းများအတိုင်း ဖယ်ရှားနိုင်ပါသည်။ ပထမဦးစွာ ၆၀ မှ ၈၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် ရေနွေးထဲတွင် ၁၀ မိနစ်စိမ်ပါ၊ ဘရက်ရှ်လုပ်ထားသော အဆစ်ပေါ်ရှိ အကြွင်းအကျန်များကို ဘရက်ရှ်ဖြင့် ဂရုတစိုက်ဆေးကြောပြီး ရေအေးဖြင့် သန့်စင်ပါ။ ထို့နောက် ၁၅% နိုက်ထရစ်အက်ဆစ်အရည်တွင် ၃၀ မိနစ်စိမ်ပြီး နောက်ဆုံးတွင် ရေအေးဖြင့် ဆေးကြောပါ။